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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
49
读取速度,GB/s
11.9
10.9
写入速度,GB/s
8.5
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2413
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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