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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
11.9
14.8
写入速度,GB/s
8.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2709
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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