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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
56
读取速度,GB/s
11.9
18.7
写入速度,GB/s
8.5
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2235
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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