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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.9
15.7
写入速度,GB/s
8.5
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3128
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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