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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
14.4
写入速度,GB/s
7.5
7.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2236
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
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