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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2767
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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