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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
11.5
14.7
写入速度,GB/s
8.5
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2250
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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