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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.5
17.0
写入速度,GB/s
8.5
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3408
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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