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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.5
16.9
写入速度,GB/s
8.5
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3285
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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