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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.5
18.3
写入速度,GB/s
8.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3433
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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