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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
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Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.5
12.8
写入速度,GB/s
8.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2583
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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