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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

总分
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB 需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 31
    左右 13% 更低的延时
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.1 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.4 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 19.1
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 14.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1756 left arrow 3363

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较

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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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