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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.5
16.3
写入速度,GB/s
8.5
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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