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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
差异
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
11.5
16.8
写入速度,GB/s
8.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3097
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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