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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
11.5
16.7
写入速度,GB/s
8.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2430
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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