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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston KH280C14D4/8X 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.5
14.3
写入速度,GB/s
8.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 31 32 33 34 35 36 37
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2779
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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