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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.5
15.0
写入速度,GB/s
8.5
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2841
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
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