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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.5
19.2
写入速度,GB/s
8.5
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3400
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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