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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
15.3
16.0
写入速度,GB/s
11.5
10.8
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2816
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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