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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre 8GB
比较
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Kllisre 8GB
总分
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
总分
Kllisre 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
11.8
11.7
写入速度,GB/s
6.4
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2003
2349
Kingston HP698651-154-MCN 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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