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Kingston HX318C10FK/4 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
69
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
38
读取速度,GB/s
6.1
7.7
写入速度,GB/s
4.1
8.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2163
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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