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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
104
左右 -478% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
18
读取速度,GB/s
3,192.0
17.9
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3871
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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