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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Kingston 9905744-006.A00G 16GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
6.1
14.7
写入速度,GB/s
4.1
12.0
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2900
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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