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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Jinyu 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Jinyu 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Jinyu 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
12.7
17.3
写入速度,GB/s
7.5
12.9
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3209
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Jinyu 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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