RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Jinyu 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Jinyu 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Jinyu 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
28
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
21
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3209
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Jinyu 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link