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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
6.1
15.9
写入速度,GB/s
4.1
9.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2611
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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