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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
12.6
16.4
写入速度,GB/s
7.7
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2949
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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