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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
67
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
30
读取速度,GB/s
6.8
16.6
写入速度,GB/s
3.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2951
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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