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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.6
18.6
写入速度,GB/s
7.7
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
3406
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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