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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
50
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
50
读取速度,GB/s
10.2
12.5
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2326
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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