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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.6
15.8
写入速度,GB/s
7.7
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2902
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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