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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.6
11.2
写入速度,GB/s
7.7
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2266
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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