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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
13.8
13.2
写入速度,GB/s
8.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3257
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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