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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
14.9
17.3
写入速度,GB/s
9.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3023
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Mushkin 991586 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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