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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
42
读取速度,GB/s
17.4
15.5
写入速度,GB/s
10.9
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3170
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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