RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
42
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3170
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link