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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.6
15.3
写入速度,GB/s
7.7
11.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2962
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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