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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
49
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
45
读取速度,GB/s
10.2
15.8
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3102
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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