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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
16.7
20.2
写入速度,GB/s
10.0
18.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
4114
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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