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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
39
读取速度,GB/s
12.6
14.1
写入速度,GB/s
7.7
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2183
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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