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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
67
左右 61% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
67
读取速度,GB/s
12.6
16.2
写入速度,GB/s
7.7
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
1798
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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