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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
17.6
14.5
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3091
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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