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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
56
读取速度,GB/s
12.6
18.7
写入速度,GB/s
7.7
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2235
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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