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Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
比较
Kingston K531R8-ETB 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
总分
Kingston K531R8-ETB 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K531R8-ETB 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
13.7
14.4
写入速度,GB/s
8.4
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2191
2846
Kingston K531R8-ETB 4GB RAM的比较
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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