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Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Kingston K531R8-MIN 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K531R8-MIN 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
13.4
14.8
写入速度,GB/s
9.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2445
3035
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM的比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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