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Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
比较
Kingston K531R8-MIN 4GB vs EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
总分
Kingston K531R8-MIN 4GB
总分
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K531R8-MIN 4GB
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需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
13.4
17.4
写入速度,GB/s
9.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2445
3039
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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