RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

总分
star star star star star
Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

总分
star star star star star
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston K531R8-MIN 4GB 需要考虑的原因
Kingston K531R8-MIN 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 35
    左右 20% 更低的延时
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB 需要考虑的原因
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2445 left arrow 2609

Kingston K531R8-MIN 4GB RAM的比较

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较