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Kingston KF548C38-16 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
比较
Kingston KF548C38-16 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
总分
Kingston KF548C38-16 16GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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规格
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需要考虑的原因
Kingston KF548C38-16 16GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF548C38-16 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
14.8
18.1
写入速度,GB/s
12.8
15.0
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 38
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3319
3317
Kingston KF548C38-16 16GB RAM的比较
Kingston KF560C40-16 16GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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