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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF552C40-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 -25% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
24
读取速度,GB/s
15.5
12.6
写入速度,GB/s
13.2
5.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
2130
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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