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Kingston KF556C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
比较
Kingston KF556C40-16 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
总分
Kingston KF556C40-16 16GB
总分
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF556C40-16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF556C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
14.9
17.0
写入速度,GB/s
13.0
11.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3458
3112
Kingston KF556C40-16 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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